JEITA 半導体部会
委員長 ： 金山 敏彦 （独）産業技術総合研究所
シリコンウェーハ関連技術は、超LSIの高密度化、高集積化の重要な基盤技術として、一層の技術向上と国際化対応を続ける必要がある。 また、最近、半導体産業は、CMOS以外の様々な素子も製造の対象とするように転換しており、これに伴って使用されるウェーハも多様化してきている。 このため、関連する規格・基準の策定を進めるとともに、内外動向の調査を実施する。
当委員会は、当JEITAの前身組織の一つである日本電子工業振興協会 （JapanElectronic Industry Development Association、略称JEIDA）にシリコン技術委員会が1958年に設置されて以来、 一貫してシリコンウェーハおよび関連計測技術の標準化・規格化を行ってきた。この間に作成した規格は、JIS規格への移行あるいはSEMI規格への引用も含めて、広く用いられている。
上記目的を達成するため専門委員会は、傘下に小委員会を設けて活動している。
SOIウエーハ関連技術小委員会では、先端CMOSへの適用が進むSOI基板に関する、課題抽出や問題解決、標準化活動の推進をミッションとしている。
また、薄膜SOI基板に限定せず、各種高機能基板を対象として調査活動を行っている。SOI基板に関連する規格の改訂を行うと共に、
ヒアリングを実施し、情報の収集と技術動向の議論を行う。
ヒアリング対象例：（先端CMOS、CIS、パワー半導体（GaN on Si含む）、高周波デバイス、シリコンフォトニクス、等）
ウェーハ測定標準小委員会では、シリコンウェーハの各種特性値の測定技術について、製造者、使用者、測定器提供者が参加して、 課題抽出、問題解決、標準化活動を行う。また、測定に関する規格の調査・維持管理も実施している。
