半導体の歴史
目次
- 1950年代 『トランジスタの時代』
- 1960年代 『ICの時代』
- 1970年代 『LSIの時代』
- 1980年代 『VLSIの時代』
- 1990年代〜 『ULSIの時代』
1950年代 『トランジスタの時代』
- 1947年 点接触トランジスタの発明（バーディーン、ブラッテン）
- 1948年 接合型トランジスタの発明（ショックレー）
- 1952年 テキサス・インスツルメンツ (TI) 社が半導体ビジネスを開始
- 1952年 モトローラ社 がSolid State Electronics研究所を設立
- 1954年 トランジスタラジオの開発（テキサス・インスツルメンツ社）
- 1954年 Silicon Junction Transistorの開発（テキサス・インスツルメンツ社）
- 1955年 トランジスタラジオの発売（東京通信工業（現ソニー））
- 1956年 Solid State Silicon スイッチの開発（ゼネラル・エレクトリック社）
- 1957年 トランジスタ式電子計算機の開発（電気試験所）
- 1957年 FET（Field Effect Transisitor：電界効果型トランジスタ）の開発
- 1957年 トンネルダイオードの発明（ソニーの江崎玲於奈氏）
- 1957年 半導体産業が1億ドルを超過
- 1958年 集積回路の発明（テキサス・インスツルメンツ社のキルビー）
- 1959年 トランジスタ式コンピュータの開発（IBM）
- 1959年 シリコン・プレーナーICの開発（フェアチャイルド・セミコンダクタ社のノイス）
トランジスタの発明
- 1947年に米国AT&Tベル研究所のバーデンとブラッデンが点接触型トランジスタで音声信号を増幅する実験に成功しました。
- 1948年に同じくベル研究所のショックレーがサンドイッチ型トランジスタの発明し、接合型トランジスタの原型になりました。
- 1948年にブラッテン、バーディーン、ショックレーがトランジスタの発明を公表し、1956年にはこの発明により３名がノーベル物理学賞を受賞しました（写真）。
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1960年代 『ICの時代』
- 1960年 ミニコンピュータPDP-1の製造（DEC）
- 1960年 トランジスタ式白黒テレビの発売（ソニー）
- 1963年 集積回路の製品出荷開始
- 1964年 MOS-ICの発表（テキサス・インスツルメンツ社ほか）
- 1964年 ICを使った補聴器を開発（テキサス・インスツルメンツ社）
- 1964年 System/360コンピュータ発表（IBM）
- 1964年 半導体産業が10億ドルを超過
- 1965年 全ICコンピュータの発表（日本電気）
- 1965年 ゴードン・ムーア(米国) が“ムーアの法則”を提唱 (集積度が2年ごとに倍になる)
- 1966年 IC電卓の発表（シャープ）
- 1967年 電卓の開発（テキサス・インスツルメンツ社）
- 1968年 インテル社設立（グローブ、ノイス、ムーア）
- 1968年 1KビットRAM構想を発表（インテル社）
- 1968年 CMOS-ICの発表（RCA）
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1970年代 『LSIの時代』
- 1970年 1KビットDRAMの開発（インテル社）
- 1971年 4ビットマイクロプロセッサの開発（インテル社）
- 1972年 8ビットマイクロプロセッサの開発（インテル社）
- 1974年 8ビットマイクロプロセッサの開発 Z-80（Zilog）、68000（モトローラ社）
- 1976年 64KビットDRAMの開発
- 1978年 16ビットマイクロプロセッサの開発（インテル社）
- 1979年 DSPの開発（AT&T Bell研究所）
- 1979年 半導体産業が100億ドルを超過
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1980年代 『VLSIの時代』
- 1981年 ゲートアレイの開発（LSIロジック社）
- 1982年 1MビットDRAMの開発、DSPの開発
- 1982年 スタンダードセルの開発（VLSI社）
- 1983年 32ビットマイクロプロセッサの開発
- 1984年 FPGAの開発（ザイリンクス社）
- 1985年 4MビットDRAMの開発
- 1988年 16MビットDRAMの開発
- 1989年 64ビットマイクロプロセッサの開発
- 1989年 NAND型フラッシュメモリの発明（東芝）
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1990年代〜 『ULSIの時代』
- 1990年 64MビットDRAMの開発
- 1991年 4MビットNAND型フラッシュメモリの開発（東芝）
- 1993年 256MビットDRAMの開発
- 1993年 青色発光ダイオードの発明（日亜化学工業の中村修二氏）
- 1993年 PC用RISC型プロセッサの開発（IB社M、モトローラ社）
- 1994年 半導体産業が1000億ドルを超過
- 1995年 1GビットDRAMの開発
- 1997年 銅配線によるULSI技術の開発（IBM）
- 1999年 128ビットマイクロプロセッサの開発
- 2000年 半導体産業が2000億ドルを超過
- 2001年 1GビットNAND型フラッシュの開発
- 2003年 32MビットFeRAMの開発
- 2005年 16GビットNAND型フラッシュの開発
- 2005年 Cellプロセッサの開発 （東芝、ソニー、IBM）
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