JEITA 半導体部会

2012年度STRJワークショップを開催(2013年3月8日)

STRJ ( Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan : JEITA半導体技術ロードマップ専門委員会）は、日本の半導体産業におけるニーズと戦略に基づき、国際活動とも連携して、5〜15年先に対する半導体技術ロードマップを作成することを目的に、JEITA半導体部会の技術委員会傘下の専門委員会として活動を続けています。

加えてSTRJの委員は、ITRS　(International Technology Roadmap of Semiconductors)の編集作業に、日本を代表して参加しており、技術ロードマップに関する情報･認識を共有するため、毎年、3月初旬にSTRJワークショップを開催しておりますが、今年度は、155名のご参加をいただきました。

開会に際し、来賓として経済産業省商務情報政策局デバイス戦略室長の師田晃彦室長にご挨拶を頂き、「日本の製造業のなかでは、半導体産業は輸出比率が高く、輸入比率が低い。円高是正は半導体にとっても追風となる。設備投資、研究開発を活発化してほしい。STRJが日本の半導体産業の発展に貢献することを期待している」とのお言葉をいただきました。

プログラムでは、ITRS（国際半導体技術ロードマップ）2012年版の概要解説の後、STRJの各ワーキンググループから活動状況の報告が行われ、最近1年間の半導体技術動向のトピックスをSTRJの会員企業からの参加者の皆様と共有する良い機会となりました。各講演後の質疑応答を通じて、有意義な議論をすることができました。

また、特別講演を下記2件併催いたしました。

• 「フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基板技術の展望」
  東京大学の荒川泰彦教授から講演いただき、シリコンの半導体集積回路技術と光半導体技術の融合のビジョンを語っていただきました。
• 「抵抗変化型不揮発性デバイスで低電圧化限界に挑む」
  超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）の住広直孝氏から講演いただき、LEAPの最新の研究成果をご紹介いただきました。

まとめとして、全体総括をSTRJ諮問委員会・林喜宏委員長に行なって頂き、成功裏に閉会となりました。
今回も多数の方々が積極的なご参加を頂きましたことに感謝申し上げますとともに、運営にあたり、関係各位の多大なるご支援、ご協力をいただきましたことをこの場を借りまして、厚く御礼申し上げます。

ワークショップ終了後に懇親会を催し、参加者間の交流を深める場となり、議論をさらに発展させる機会を持つことができました。

なお、STRJのホームページ（http://semicon.jeita.or.jp/STRJ/）では、ITRSの日本語訳、STRJの活動情報などを掲載しております。是非ご参照願います。

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