JEITA 半導体部会

第9回国際ナノテクノロジー会議（INC9）がベルリンで開催。 JEITA関係者も講演

INC(International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation)は、日米欧のナノテクノロジー政策立案者、研究者、企業のキーパーソンが集まり、ナノテクノロジーの最新動向･将来の方向について議論し、国際的な協力・交流を推進する国際会議です。

講演風景	コーヒーブレーク中の交流

INCは、日米欧の持ち回りで、年1回開催されてきており、INC9はドイツのベルリンで開催されました。 参加者は155名で、うち我が国からは、内閣府、文部科学省、経済産業省の他、産学等から45名の参加がありました。
JEITA半導体技術委員会 INC-WG（国際ナノテクノロジー会議ワーキンググループ）は、オーガナイザー参画機関の一つとして、INC9の企画・運営に積極的に貢献しました。
講演者としてJEITAから推薦した下記の方々（講演順）は、最新の成果を披露し、いずれも会場の注目を集めました。

• 齋藤真澄氏（東芝）「High-Performance Silicon Nanowire MOSFETs for Ultra-Low Power LSI」
• 福田浩一氏（AIST）「HyENEXSS: Computing Device Design and Characterization Platform for Nanoelectronics」
• 賣野豊氏（PETRA）「High Density Optical Interconnects by Using Silicon Photonics」

今回の基調講演は、ヘムニッツ大学（独）T. Seyller教授による「Epitaxial Graphene - from Flakes to Wafers」と題するグラフェンに関する講演でした。 昨年（INC8)は、飯島澄男氏によるナノカーボン材料に関する基調講演であり、2年続けてカーボンについての基調講演となりました。 これは世界の関心材料の一つがカーボン系であることを反映しているものと思われます。
他には、日米欧3極のナノテクノロジー研究開発分野、たとえば「Bridge to Materials」分野において、日米欧の最先端研究開発に関する議論を行いました。
またポスターセッションも併催され、3日目の一般ポスターセッションでは、日17件、米15件、欧31件の合計63件の展示があり、活発なセッションとなりました。 これら63件から、ベストポスターアワード1件（日（NIMSの研究者））、ポスターアワード2件（欧米各1件）が表彰されました。
INC9のその他の結果を含む概要は以下の通りです。

1. 会議名称：The Ninth International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC9)
2. 開催期間：2013年5月14日（火）〜17日（金）
3. 開催場所：Frunhofer Forum Berlin（ドイツ、ベルリン）
4. 参加者数：155名
5. 参画機関：
   日本:(独)物質・材料研究機構(NIMS) 、(独)産業技術総合研究所(AIST)、
   　　　　一般社団法人電子情報技術産業協会(JEITA)、
   　　　　(社)ナノテクノロジービジネス推進協議会(NBCI)
   米国:CNSI, DOD AFOSR, NIST, NSF, SEMATECH, SIA, SRC
   欧州:European Commission, CEA/LETI, Fraunhofer, IMEC, ENIAC
6. Website：http://www.inc9.de/

次回（INC10）は、2014年5月13日（火）〜16日（金）に米国ワシントンD.C.近郊のNISTで開催予定です。（Website： http://www.inc10.org/）

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